1 稳定性较好。
碳化硅在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。
SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。
SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，
与氧化铜的反应在800度已强烈进行。。同氧化铁在1000-1200度，
进行反应，到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。
SiC在氯气中，从600度开始与之反应，到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。
熔融碱在炽热下可使SiC分解。
2 抗氧化性较好
碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、
C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。
在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用，
而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。
3 抗热震性较好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，
并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。
